“胡正明教授的技术你们已经拿到手了？”胡长风问道。
“胡教授这个人，还有他的技术，我们安盛技术情报司一直在跟踪。”周至说道：“他47年出生于BJ，68年从台岛大学电机系毕业；1969年赴加州大学伯克利分校留学，先后获得硕士、博士学位；73年博士毕业后前往麻省理工学院任助理教授；76年回到加州大学伯克利分校电子工程与计算机科学系任教；”
“胡教授第一次来大陆是1985年，应严东生院士邀请，胡正明和另外两位美国科学家，向国家部委提出了发展微电子科学技术的战略性重要咨询建议。”
“1990年，胡正明在北大与清华设置五名研究生奖学金，并鼓励中国留学生回国发展半导体工业。同时担任旧金山东湾中文学校董事长，与父亲胡素鸿先生、弟弟胡正大博士在金坛市第一中学设立胡氏奖助基金，用以奖励每届高中毕业生中品学兼优、家境较差而有志升大学者。”
“去年，胡正明理论成熟，创办思略微电子有限公司兼任董事长。”
“我们集团是95年开始从技术上关注他的，当时他领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出一种新型的数学模型。”周至看了一眼麦小苗：“在小苗的提醒下，我们注意到该数学模型可以成为设计芯片的标准，且属于全新的结构，一旦被证实为可靠，那么就可以利用热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。”
“以两种方法为基础，可以推演验证出多种新结构器件。”周至说道：“FinFET，只是其中之一。”
“其中之一？”听到周至这么说，胡长风甚至比刚刚听到鳍式场效应晶体管理论上可以发展到5纳米制程还要震惊。
“是的，还有一种前瞻性的结构，是从FinFET发展而来的，我们将之称为全包藏FET结构，未来5纳米以下制程的芯片设计，可能需要这种技术才可以完成。”
“你们是怎么搞定他的？”胡长风感到太惊讶了。
“因为胡教授需要证实他的理论。”周至笑道：“但是如果要在现实世界里完成这项验证，需要耗费巨资搭建一条全新的生产线，设计，光刻，封装都需要投入巨资进行升级和创新，最后才可以生产出胡教授模型结构的芯片，用来论证其正确性。”
“这项投入是十亿美元级的。胡教授
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