的过程中，使用了氮气和氢气作为保护气。实际上制成的低阻P型氮化镓半导体，比目前日本人用氮化铝做缓冲层获得的半导体性能还要更好。通过我测得的数据，我们的P型氮化镓电阻率是0.，空穴浓度更是达到了3×10的18次方/立方厘米。”
“，空穴浓度10的17次方/立方厘米比起来，成本上的降低反而都不够看了！有了这种氮化镓外延片，蓝光LED的性能和成本将降低到不可思议的程度！”
没错，胡文海现在手里捧着的这块大概2英寸大小的晶片，就是蓝光LED芯片的核心技术——氮化镓外延片。
和其他的半导体芯片不同，LED芯片的生产核心技术并非是IC设计和光刻机，D芯片照明的原理很简单，就是半导体中的电流P端向N端流动的过程，P端的自由电子在N端的空穴中结合，P端和N端结合处就会产生光子辐射出来。而这种PN结构的半导体，只是半导体设计中最常用的部分。
不需要太小的光刻线宽，不需要多么复杂的电路设计。后世中国很多LED芯片生产厂家，设备都是从国内晶圆厂淘换的八手淘汰光刻机。可想而知，这里面的技术难点并非不可攻克。有了氮化镓外延片，光刻、封装和更下游的产业发展起来只是时间问题。
而LED照明的市场有多大，不用说大家都清楚。以LED光源的市场，足以支撑国内再开十个新科晶圆厂级别的LED芯片生产基地。有了这个基础，中国半导体行业就不用担心成长的动力不足了。
而且更美妙的一点，则是LED芯片生产的资本和技术要求并没有那么高，国内的资本和技术努努力完全能消化下来。不用挤占外资，反而能够大量创汇，必将引起国内投资半导体产业的热潮。
借着这股东风，正如胡文海对张仲谋说的，他不是担心有人和他抢市场。正相反，他担心的只是人太少，市场做不起来。
不过蓝光LED的技术实现起来仍然并不容易，只是这里面最核心的技术从设计和光刻，D芯片外延片——也就是氮化镓的晶圆，它是在一层蓝宝石上生长的氮化镓晶体层。单是这么一层薄薄的、只有50nm的氮化镓晶体层，就困扰了人类足足30多年。
新科公司只要牢牢把持住氮化镓外延片的供应，就能从这个市场上获取源源不断的利润。
历史上，这可是获得了诺贝尔奖的成果！2014年的诺贝尔物理学奖，便是因为蓝光LED的发明，由赤崎勇和天野浩还有中村修二三个人分享的。
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