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第九百八十八章 芯片之战·FinFET +1【求订阅】

FinFET制程工艺的理论。硅晶圆的晶体结构特点好像并不适合FinFET制程工艺，这项制程工艺无法到达极限。

“达不到极限也没关系，我们现在能做出四层蚀刻。再加把力，只要能做到八层蚀刻足够应对各种局面。”

这时候，刚刚来到的章钕京却张开大嘴，大笑着说道。

他很乐观，认为最近不久才取得突破的FinFET制程技术很值得庆贺一番，并且想要请许振鸣给予赐名。

因为做制程技术试验花费比较多，他们的团队成员们正在讨论方案，修改上次试验过程中存在错误程序，并没把这种不成熟的技术当作项目汇报上来。

许振鸣根本不在意章钕京解释的内容，随意的一挥手，“章总、胡主任、章主任，咱们现在要讨论的问题是FinFET制程工艺得到提高，成本有没有下降？”

按照惯例，许振鸣给新一代FinFET制程工艺技术取名为“FinFET+1”的Foundry制程工艺。他希望这项技术能继续升级下去，直至达到n+1这种境界，达到胡明镇所提及的分子层境界。

但目前来说，这项技术提高之后，原来的FinFET制程工艺有没有提高。这才是许振鸣所关心的。