值决定分别选择10、12、14、16、18、20、100纳米，其中100纳米作为正常器件，也就是标样进行参比，其他的薄层电极厚度都是包含1纳米金在内的。
这里可以列一张表，用表格的形式详细列举出不同电极厚度下，PCE、AVT等数据的变化情况。
第五张图……许秋发现实在没什么可做的实验了。
只有四张图的话，也不是不可以，但文章就显得稍微有些单薄。
于是，他决定搞点花里胡哨的东西出来，这也是之前看其他人文献时得到的灵感。
正常器件测试的时候都是从玻璃/ITO这一测打光测试，半透明器件的常规测试方法也是一样，从透明玻璃一侧打光。
许秋打算另外测试一组从半透明电极那一侧打光的器件性能数据。
可以预见的是，器件效率肯定是会变低的，因为光在到达有效层前就会被半透明电极先吸收一小半。
而效率的衰减绝大多数来自于这项吸收损失，因此衰减的幅度基本上约等于一减去半透明电极的AVT。
反正测试一下也花不了太多的功夫，就能多一张图，何乐而不为呢。
下午两点多，莫文琳完成了器件制备的前几道工序，将基片传送到蒸镀手套箱中，然后进入办公室，说道：
“许秋，你的两种体系，我每组都用最优条件做了两组转速，每组转速两片，一共八片器件，就差最后的蒸镀了。”
“好，我等下来教你怎么蒸镀半透明器件。”许秋点点头，穿上实验服，进入里间实验室。
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