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第369章 技术大突破(1/4第四卷开启求支持)

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  仍然落后现在世界顶尖水平有一两代的差距。

没办法,虽然在控制系统等等这些软的方面,顾松提供了最优秀的方案。但是材料就是不过关,现有的工艺就是还不够。只能靠这台已经实现了飞跃式发展的机床,再迭代出更高端的机床,完全达到当初的预期设计目标。

因为人工智能谢茵然的下线,当初那份庞大的精密仪器及机械专项科研计划,做是都做完了,有不小的一部分,规格却没能达到当初预期的设计高度。

不过,这只是顾松的感觉而已。

殊不知,全国相关领域的科研院所和企业,这三年里感觉就在不停地过年。

而马上,就会到最终验收的时间点,那会是一场总结成绩和分果果的会议。06年的这个春节,很多人要过不好了。

廖青山终于收拾好了情绪,笑着说:“老板来了,要不要去厂房看看?”

顾松摆了摆手:“就是来看看你。你在这里盯着,我放心。”

廖青山陪他喝水,问道:“ISSCC是因为咱们的3D闪存邀请你过去?”

顾松笑呵呵地说:“是啊,04年投产的第一批3D闪存,咱们拿出来的是250纳米制程的,单颗芯片容量4G。虽然三星量产的2D芯片也是4G,但成本比咱们低。05年他们量产8G的,但咱们一下子翻了8倍到了32G,世界慌了嘛。”

廖青山感叹道:‘我现在才理解到,你当初把工艺已经储备到什么程度了。东芝现在好苦啊。咱们已经在做130纳米的了,8层存储单元加4层封装。东芝05年拿出来的,还是180纳米制程,3层存储单元2层封装。今年可以推进到12层存储单元加4层封装了,AT1100魔改一下再推进到65纳米的制程,东芝赶的速度没咱们突破的速度快!”

顾松嘿嘿地笑,当时按承诺,给东芝的是8寸晶圆,500纳米制程底下,2层存储单元加2层封装的工艺,本身他们消化完原始技术就花时间。要说起来,他们在制程工艺上的积累深厚,很快就推进到180纳米制程,但其他方面就慢了。

“全靠同行衬托!今年得把工艺提上去,成本降下来,优势就更大了。”

廖青山信心满满:“许总那边已经试产了这么久,牛总那边也把设备准备好了。春节期间这边改装调试好,明年3D闪存制程工艺大突破!”



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