的材料制备实验，他的手艺相当不错。
杨驰用镊子极其小心地夹起这片尚有余温的“晶片”，将它放入另一个充满氩气的特制样品盒中，这不过只是个开始而已，接下来，这块晶片将被送往旁边的检测室，接受经受X射线衍射的晶体结构审视、霍尔效应测试对其载流子浓度和迁移率的拷问、原子力显微镜对其表面粗糙度的扫描……
大家稍微松了口气，这次材料制备相当成功，但他们对于制备出来的材料，却并没有抱有太大的期待。
这样的场景，已经重复了十二次。
“氧化镓的晶格常数是103.8！”
一道惊呼打破了实验室中的沉闷气氛，这道惊呼来自一直盯着仪器屏幕的邓婷。
只是在第一道检测中，通过X射线检测晶体结构时，氧化镓就表现出了远超正常水平的特异。
通常来说，能带宽度与相邻原子电子云叠加值J成正比，晶格常数越大，J越小，能带宽度越小，则禁带宽度越大！
而目前工业界成熟的半导体材料硅的晶格常数是5.43，砷化镓的晶格常数是5.65，但氧化镓的晶格常数直接跳过两位数，来到了三位数，几乎是硅的20倍！
“不用继续检测了，直接通电测数据！”
肖蒙当机立断，这是最简单最快速的检测方式，只是这样可能造成样品的损坏，但她已经迫不及待的想要拿到这块薄片的参数了，反正制备方法他们已经掌握，即便是损坏，也可以再制备一片便是。
“我来！”
刚刚完成几个小时制备的杨驰顾不得疲惫，冲上前去，亲自动手实验。
鄂维南也是快步来到检测室旁，眼中已经有喜色涌动，氧化镓种种不同凡响的表现，似乎已经在谕示着什么了。
很快，在杨驰的操作下，一组组的数据被测量出来。
禁带宽度4.8-4.9 eV，远超当前主流半导体硅的1.1 eV、碳化硅的3.25 eV和氮化镓的3.4 eV，
临界击穿场强8MV/cm，是碳化硅（3 MV/cm）的2.7倍，硅（0.3 MV/cm）的27倍！
导通电阻理论值仅为硅的1/3000、碳化硅的1/6，在相同电压下损耗降低98%！
并且氧化镓可通过熔体法生长大尺寸单晶，成本将大幅度降低，且单晶生长速度更快，这绝对是一种极其优秀的新半导体材料！
第四代半导体材料！
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