当然这是国家最大的机密之一，目前主要用于飞行，水下推进动力的桨面设计制造，还没有作为科研成果对外公开，因此大家只能偷着乐，继续眼睁睁看着精密五轴数控机床在《两用物品及技术出口控制清单》上扬武扬威。
“虽然两用商品和技术清单涵盖了先进材料、材料处理、电子器件、计算机、电信与信息安全、传感与激光、导航与航空电子仪器、船舶与海事设备、推进系统等九大类，但是目前的定义还非常笼统。”周至说道：“很多新兴的技术和工艺，比如计算光刻软件、大硅片切磨抛技术，还有最新的半导体、传感器、量子技术等，他们还没有来得及列入到清单里边去。”
“仅就信息产业而言，目前我们的晶圆，EDA、封装都已经比较成熟，最欠缺的，是2.5微米制程的铜互联技术CPU生产线和鳍式场效晶体管技术！”
“铜互连技术生产线可以理解，鳍式场效应，目前不是还在讨论阶段吗？”胡长风顿时感觉压力山大：“两项技术，没有一项是容易的啊。”
其实在1994年，因为集成1亿个元件的1G DRAM的研制成功，标志着信息时代的芯片技术已经进入了巨大规模集成电路，即GSI时代。
因为到目前世界主流的芯片互联技术都是基于铝材料互连工艺构建起来的，在芯片制程缩小到180纳米的时候，CMOS的处理速度就不够快了。
铜的电阻比铝低40%，可靠性更是比铝材料高100倍。如果用在300MHz的芯片上，铜互连版本的速度会比铝互连提高至少百分之三十。而且尺寸可以比铝更小。这就意味着铜互连芯片对电池电源的需求更低，对于互联网服务器，页面下载速度更快，可以让使用它的计算机、摄像机、电话和其它设备可以更小，同时更快、更廉价。
但是目前业界对于这项技术的争议还很大，原因就在于其实现难度与铝材料相比，不是一个量级。
和铝不同，铜原子能够在芯片的绝缘层中漂浮，并且还有可能改变硅，改变其电气属性，并破坏设备的运转性能。如果要使用这项技术，就必须在新材料领域发展出几样伴随技术，比如可以将铜和绝缘层实现漂浮隔离的钨触点技术，衬垫技术，复合技术，帮助将铜从硅中隔离出来，防止了这些负面影响。
“随着更小、更高效的芯片技术将不断被开发，铝互联技术的临界点即将到来。”周至说道：“如果我们接手别人即将淘汰的东西，那无疑又是掉入了别人的技术陷阱。”
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